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產(chǎn)品分類
Cassification
產(chǎn)品展示/ Product display
三菱IPM模塊PM10CMA060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動及保護電路構(gòu)成其中,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅(qū)動GTR,因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng),
2024-01-19
經(jīng)銷商
3836
三菱IPM模塊PM30CSJ060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動及保護電路構(gòu)成其中,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅(qū)動GTR,因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng),
2024-01-19
經(jīng)銷商
4614
三菱IPM模塊PM20CSJ060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動及保護電路構(gòu)成其中,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅(qū)動GTR,因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng),
2024-01-19
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3913
三菱IPM模塊PM15CSJ060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動及保護電路構(gòu)成其中,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅(qū)動GTR,因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng),
2024-01-19
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3794
三菱IPM模塊PM10CSJ060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅(qū)動及保護電路構(gòu)成其中,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅(qū)動GTR,因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng),
2024-01-19
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3775
西門康IPM智能功率模塊SKiiP603GD123-3DUW,集成了驅(qū)動器和散熱器的IGBT模塊,適用于功率高達2.1MW的變流器 / 采用燒結(jié)技術(shù),可靠性Z高 / 應用領域包括風能和太陽能發(fā)電系統(tǒng)及鐵路應用 / 服務成本更低
2024-01-19
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3894
西門康IPM智能功率模塊SKiiP603GD123-3DUL,集成了驅(qū)動器和散熱器的IGBT模塊,適用于功率高達2.1MW的變流器 / 采用燒結(jié)技術(shù),可靠性Z高 / 應用領域包括風能和太陽能發(fā)電系統(tǒng)及鐵路應用 / 服務成本更低
2024-01-19
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4290
西門康IPM智能功率模塊SKiiP1513GB172-3DW,集成了驅(qū)動器和散熱器的IGBT模塊,適用于功率高達2.1MW的變流器 / 采用燒結(jié)技術(shù),可靠性Z高 / 應用領域包括風能和太陽能發(fā)電系統(tǒng)及鐵路應用 / 服務成本更低
2024-01-19
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